Acquisition d'une machine de pulvérisation confocale (Lot 1) - Bati KID (Kinetic Inductance Detectors)
description Description
Le présent lot a pour objectif d'acquérir la capacité de déposer en interne des couches minces métalliques de haute qualité, principalement supraconductrices (Al, Ti, Au, Nb, TBD), sur des substrats diélectriques (généralement silicium, quartz, saphir…) d'une épaisseur comprise entre 0,1 mm (100 µm) et 10 mm et d'un diamètre maximal de 200 mm. L'épaisseur typique des couches déposées ne dépassera pas 500 nm. Outre la haute qualité (pureté élevée), l'uniformité de l'épaisseur de la couche est un critère essentiel. Nous visons une uniformité d'épaisseur supérieure à 3 % sur un diamètre de 180 mm, à 2 % sur un diamètre de 130 mm et supérieure à 1 % sur les 90 mm centraux. Pour réaliser des multicouches, il est nécessaire de déposer jusqu'à cinq matériaux sans rupture de vide. La surface du substrat diélectrique doit être nettoyée in situ par gravure plasma RF avant le dépôt.